BSC042NE7NS3GATMA1 vs IAUC100N08S5N043ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC042NE7NS3GATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUC100N08S5N043ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC042NE7NS3GATMA1 | IAUC100N08S5N043ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC042NE7NS3GATMA1 | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) |
| Technology | OptiMOS 3 | OptiMOS 5 (Trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 19 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 4.2 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 1.7 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 125 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +150C | -55°C to +175°C |
| پیکیج | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-34 (SuperSO8) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL لیول | 1 | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Part Series | — | IAUC / OptiMOS 5 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | — | 100 A (package limited) |
| Continuous Drain Current (chip-limited) | — | 120 A at T<sub>C</sub>=25°C, R<sub>thJC</sub>=1.2 K/W |
| Maximum R<sub>DS(on)</sub> | — | 4.3 mΩ |
| Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | — | 125 W (T<sub>C</sub>) |
| پن کی تعداد | — | 8 |
| نمی حساسیت کی سطح (MSL) | — | MSL1 (up to 260°C peak reflow) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Avalanche Rating | — | 100% Avalanche Tested |
| RoHS / REACH | — | RoHS Compliant (Green Product) |
| Channel Mode | — | Enhancement |