BSC047N08NS3GATMA1 vs BSC076N06NS3GATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC047N08NS3GATMA1 بواسطة Infineon و BSC076N06NS3GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC047N08NS3GATMA1 | BSC076N06NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC047N08NS3GATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS™ 3 (N-channel trench) | N-Channel Trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 18 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 4.7 mOhm at VGS=10 V | — |
| Power Dissition (Tc) | 125 W | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 2.5 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS th) | Normal level (typ 1.7 V) | — |
| Avalanche Rated | 100% tested | — |
| العلبة | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +175 °C (Tj) | -55C to +150C |
| RoHS / Halogen-Free | RoHS compliant, Halogen-free | — |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 50 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 7.6 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | 10.4 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.0 V to 3.5 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Power Dissipation (Tc) | — | 69 W |
| مستوى MSL | — | 1 (unlimited) |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes (per Infineon product page) |