BSC047N08NS3GATMA1 vs BSC076N06NS3GATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC047N08NS3GATMA1 द्वारा Infineon और BSC076N06NS3GATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
BSC076N06NS3GATMA1 - 60V 50A 7.6mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon
BSC076N06NS3GATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC047N08NS3GATMA1 | BSC076N06NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC047N08NS3GATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS™ 3 (N-channel trench) | N-Channel Trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 18 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 4.7 mOhm at VGS=10 V | — |
| Power Dissition (Tc) | 125 W | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 2.5 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS th) | Normal level (typ 1.7 V) | — |
| Avalanche Rated | 100% tested | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +175 °C (Tj) | -55C to +150C |
| RoHS / Halogen-Free | RoHS compliant, Halogen-free | — |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 50 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 7.6 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | 10.4 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.0 V to 3.5 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Power Dissipation (Tc) | — | 69 W |
| MSL स्तर | — | 1 (unlimited) |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| हैलोजन फ्री | — | Yes (per Infineon product page) |