BSC059N04LS6ATMA1 vs BSC032N04LSATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC059N04LS6ATMA1 بواسطة Infineon و BSC032N04LSATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC059N04LS6ATMA1 | BSC032N04LSATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Technology | OptiMOS 6 (N-channel MOSFET) | OptiMOS 5 trench |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 17 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 49 A | — |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) at TC=25C | 59 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 5.9 mOhm at VGS=10 V | — |
| Total Power Dissipation at TA=25C | 3 W | — |
| Total Power Dissipation at TC=25C | 38 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C | — |
| العلبة | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Diode Continuous Forward Current (IS) | 38 A at TC=25C | — |
| Diode Pulse Current (IS,pulse) | 236 A at TC=25C | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Series | — | OptiMOS 5 40V |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | — | 21 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 98 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.2 mΩ |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 52 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55°C to +175°C |