BSC059N04LS6ATMA1 vs BSC032N04LSATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSC059N04LS6ATMA1 bằng Infineon và BSC032N04LSATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSC059N04LS6ATMA1 | BSC032N04LSATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Technology | OptiMOS 6 (N-channel MOSFET) | OptiMOS 5 trench |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 17 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 49 A | — |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) at TC=25C | 59 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 5.9 mOhm at VGS=10 V | — |
| Total Power Dissipation at TA=25C | 3 W | — |
| Total Power Dissipation at TC=25C | 38 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +150C | — |
| Hộp | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Diode Continuous Forward Current (IS) | 38 A at TC=25C | — |
| Diode Pulse Current (IS,pulse) | 236 A at TC=25C | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Series | — | OptiMOS 5 40V |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | — | 21 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 98 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.2 mΩ |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 52 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55°C to +175°C |