BSC070N10NS5ATMA1 vs IPT015N10NF2SATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC070N10NS5ATMA1 بواسطة Infineon و IPT015N10NF2SATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC070N10NS5ATMA1 | IPT015N10NF2SATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Technology | OptiMOS 5 (N-channel trench) | OptiMOS trench, N-channel enhancement |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 80 A | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 7 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | 20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: typical Qg] | — |
| Power Dissition at TC=25C (Ptot) | 83 W | — |
| Power Dissipation at TA=25C | 2.5 W | — |
| نطاق درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 C to +150 C | — |
| العلبة | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Typical Application | Synchronous rectification in SMPS | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 315 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 35 A |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 1.5 mΩ |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | — | 3.8 V at 267 µA |
| Total Power Dissipation (Ta) | — | 3.8 W |
| Total Power Dissipation (Tc) | — | 300 W |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 °C to +175 °C |
| Gate Drive Voltage (typ) | — | 10 V |
| طاقة الانهيار النبضي المفرد | — | [DATA_NEEDED: EAS value] |