BSC076N06NS3GATMA1 vs BSC084P03NS3GATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC076N06NS3GATMA1 بواسطة Infineon و BSC084P03NS3GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC076N06NS3GATMA1 BSC084P03NS3GATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 3 —
Technology N-Channel Trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V -30 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 50 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 7.6 mΩ —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V 10.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 3.5 V —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] 58 nC @ VGS = -10 V
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 69 W 69 W
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C -55C to +150C
العلبة PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 1 (unlimited) 1 (unlimited)
RoHS Compliance Compliant —
خالٍ من الهالوجين Yes (per Infineon product page) —
Polarity / Channel Type — P-Channel
Continuous Drain Current (Ta) — 14.9 A
Continuous Drain Current (Tc) — 78.6 A
Rds(on) max @ VGS = -10 V — 6.1 mOhm
Rds(on) max @ VGS = -2.5 V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at 2.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — -1.7 V
Input Capacitance (Ciss) — 3.19 nF
Output Capacitance (Coss) — 110 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 1.52 nF
Technology Family — OptiMOS P3
حالة RoHS — Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر