BSC076N06NS3GATMA1 vs BSZ130N03LSGATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC076N06NS3GATMA1 بواسطة Infineon و BSZ130N03LSGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC076N06NS3GATMA1 BSZ130N03LSGATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
Technology N-Channel Trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 50 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 7.6 mΩ —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V 10.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 3.5 V —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.1 W
Power Dissipation (Tc) 69 W 25 W
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C -55 C to +150 C (junction)
العلبة PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN, 5x6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 1 (unlimited) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Compliance Compliant —
خالٍ من الهالوجين Yes (per Infineon product page) Yes
Part Family — OptiMOS 25V / 30V
Polarity / Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Ta=25 C) — 10 A
تيار التصريف المستمر (TC=25°C) — 35 A
On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V — 13 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ @ Vds=Vgs, Id=250uA — 2.2 V
حالة RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Qualification — Industrial / Commercial (non-automotive)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر