BSC077N12NS3GATMA1 vs BSC052N08NS5ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC077N12NS3GATMA1 بواسطة Infineon و BSC052N08NS5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC077N12NS3GATMA1 | BSC052N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 3 (120 V) | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench) | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | 80 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 13.4 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 98 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 7.7 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 2.5 V | 2.5-3.0 V |
| Total Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 139 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55C to +150C | -55C to +150C |
| العلبة | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الأطراف | 8 | — |
| مستوى MSL | 1 | 1 (unlimited) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Automotive Grade | Yes (per Infineon part number suffix / datasheet) | — |
| Part Number | — | BSC052N08NS5ATMA1 |
| Technology | — | OptiMOS 5 |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 95 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 5.2 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Total Power Dissipation (Tc) | — | 83 W |
| Total Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |