BSC077N12NS3GATMA1 vs BSC052N08NS5ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSC077N12NS3GATMA1 bằng Infineon và BSC052N08NS5ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSC077N12NS3GATMA1 - 120V OptiMOS 3 N-Ch MOSFET, 7.7mΩ | Infineon
BSC077N12NS3GATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSC077N12NS3GATMA1 | BSC052N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 3 (120 V) | — |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench) | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | 80 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 13.4 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 98 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 7.7 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 2.5 V | 2.5-3.0 V |
| Total Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 139 W | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55C to +150C | -55C to +150C |
| Hộp | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Số chân | 8 | — |
| Cấp MSL | 1 | 1 (unlimited) |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Automotive Grade | Yes (per Infineon part number suffix / datasheet) | — |
| Part Number | — | BSC052N08NS5ATMA1 |
| Technology | — | OptiMOS 5 |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 95 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 5.2 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Total Power Dissipation (Tc) | — | 83 W |
| Total Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |