BSC084P03NS3GATMA1 vs BSZ0901NSIATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC084P03NS3GATMA1 بواسطة Infineon و BSZ0901NSIATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC084P03NS3GATMA1 BSZ0901NSIATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V 30 V
Continuous Drain Current (Ta) 14.9 A —
Continuous Drain Current (Tc) 78.6 A —
Rds(on) max @ VGS = -10 V 6.1 mOhm —
Rds(on) max @ VGS = -2.5 V [DATA_NEEDED: Rds(on) at 2.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) -1.7 V —
Total Gate Charge (Qg) 58 nC @ VGS = -10 V [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Input Capacitance (Ciss) 3.19 nF —
Output Capacitance (Coss) 110 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 1.52 nF —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 69 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C -55 C to +150 C (typical MOSFET range)
العلبة PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6) PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology Family OptiMOS P3 —
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL 1 (unlimited) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSZ0901NSIATMA1
Series — OptiMOS 25V
Technology — OptiMOS trench N-channel MOSFET
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 25 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 40 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 69 W
عدد الأطراف — 8
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V]
Packaging — Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر