BSC0902NSATMA1 vs BSC036NE7NS3GATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC0902NSATMA1 بواسطة Infineon و BSC036NE7NS3GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC0902NSATMA1 BSC036NE7NS3GATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 75 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) 24 A —
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) 100 A —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 48 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] 2.6 V
RDS(on) @ VGS=10V max [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
RDS(on) @ VGS=4.5V max [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Total Gate Charge (Qg typ) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (Tj) -55C to +175C
العلبة PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) PG-TDSON-8-7 (5x6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Qualification JEDEC qualified for target applications —
RoHS Compliance Compliant (Pb-free lead plating) —
خالٍ من الهالوجين Yes, per IEC 61249-2-21 —
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 400 A
On-Resistance (RDS(on) max @ VGS=10V) — 3.6 mOhm
Total Gate Charge (Qg typ @ VGS=10V) — 45 nC
Rise Time (tr typ) — 13 ns
Fall Time (tf typ) — 11 ns
Power Dissipation (PD max, Tc=25C) — 156 W
Power Dissipation (Ta=25C) — 2.5 W
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — 0.8 C/W
حالة RoHS — ROHS3 Compliant
مستوى MSL — 1

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر