BSC098N10NS5ATMA1 vs BSC027N10NS5ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC098N10NS5ATMA1 بواسطة Infineon و BSC027N10NS5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC098N10NS5ATMA1 BSC027N10NS5ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط NRND
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 5 (100V)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 60 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) [DATA_NEEDED: ID Ta-rated value] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] 194 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 9.8 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max +/-] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
Power Dissipation (Tc=25C) 69 W —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 3 W
Diode Continuous Forward Current (IS) 63 A (Tc=25C) —
Diode Pulse Current (IS,pulse) 240 A (Tc=25C) —
Diode Forward Voltage (VSD) typ 0.9 V (IF=30 A, Tj=25C) —
Diode Forward Voltage (VSD) max 1.1 V (IF=30 A, Tj=25C) —
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: Tj min/max] [DATA_NEEDED: Tj min/max]
العلبة PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Shipping Packaging Tape & Reel (T/R) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC027N10NS5ATMA1
Channel Type — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 23 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 2.7 mOhm
Power Dissipation (Tc) — 214 W
Qualification — Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر