BSC098N10NS5ATMA1 vs BSC027N10NS5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC098N10NS5ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC027N10NS5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC098N10NS5ATMA1 BSC027N10NS5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال NRND
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 5 (100V)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 60 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) [DATA_NEEDED: ID Ta-rated value] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] 194 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 9.8 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max +/-] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
Power Dissipation (Tc=25C) 69 W —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 3 W
Diode Continuous Forward Current (IS) 63 A (Tc=25C) —
Diode Pulse Current (IS,pulse) 240 A (Tc=25C) —
Diode Forward Voltage (VSD) typ 0.9 V (IF=30 A, Tj=25C) —
Diode Forward Voltage (VSD) max 1.1 V (IF=30 A, Tj=25C) —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: Tj min/max] [DATA_NEEDED: Tj min/max]
پیکیج PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Shipping Packaging Tape & Reel (T/R) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC027N10NS5ATMA1
Channel Type — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 23 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 2.7 mOhm
Power Dissipation (Tc) — 214 W
Qualification — Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں