BSC117N08NS5ATMA1 vs BSC094N06LS5ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC117N08NS5ATMA1 بواسطة Infineon و BSC094N06LS5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC117N08NS5ATMA1 | BSC094N06LS5ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC117N08NS5ATMA1 | BSC094N06LS5ATMA1 |
| Technology | OptiMOS 5 | OptiMOS™ 5 (logic-level) |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) max | 49 A (Tc) | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 11.7 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 50 W | — |
| العلبة | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الأطراف | 8 | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 C to +150 C (typical MOSFET junction) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| مستوى MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 47 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 9.4 mΩ |
| RDS(on) max at VGS=4.5 V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 36 W |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55 °C to +150 °C |