BSC117N08NS5ATMA1 vs BSC094N06LS5ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC117N08NS5ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC094N06LS5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC117N08NS5ATMA1 | BSC094N06LS5ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC117N08NS5ATMA1 | BSC094N06LS5ATMA1 |
| Technology | OptiMOS 5 | OptiMOS™ 5 (logic-level) |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) max | 49 A (Tc) | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 11.7 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 50 W | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پن کی تعداد | 8 | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +150 C (typical MOSFET junction) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL لیول | 1 | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 47 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 9.4 mΩ |
| RDS(on) max at VGS=4.5 V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 36 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55 °C to +150 °C |