BSC190N15NS3GATMA1 vs IPP120N08S403AKSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC190N15NS3GATMA1 بواسطة Infineon و IPP120N08S403AKSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IPP120N08S403AKSA1 IPP120N08S403AKSA1 - 80V 120A N-Ch MOSFET | Infineon OptiMOS

IPP120N08S403AKSA1 - 80V 120A N-Ch MOSFET | Infineon OptiMOS

IPP120N08S403AKSA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل BSC190N15NS3GATMA1 IPP120N08S403AKSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Technology OptiMOS 3 (N-Channel) —
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 50 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V to 3.5 V 4 V max
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 19 mOhm —
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at 10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] 167 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 125 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +150 C —
العلبة PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 EP) TO-220-3-1 (PG-TO220-3-1)
نوع التركيب Surface Mount Through Hole
حالة RoHS Compliant Compliant (Green Product)
مستوى MSL 1 MSL1 (peak reflow up to 260 C)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 120 A
Pulsed Drain Current (bondwire-limited) — 245 A at 25 C
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 278 W (Tc)
On-State Resistance (RDS(on)) — 2.8 mOhm typical at VGS=10 V, ID=100 A
Input Capacitance (Ciss) — 11550 pF
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — 0.54 K/W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 C to +175 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Avalanche Rating — 100% avalanche-tested
Channel Type — N-Channel enhancement mode
Technology Family — OptiMOS

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر