BSC265N10LSFGATMA1 vs BSC100N10NSFGATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC265N10LSFGATMA1 بواسطة Infineon و BSC100N10NSFGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
BSC265N10LSFGATMA1 - 100V 40A N-Channel OptiMOS 2 MOSFET | Infineon
BSC265N10LSFGATMA1 ✓ نشطInfineon
BSC100N10NSFGATMA1 - 100V OptiMOS N-Channel MOSFET, 10mΩ | Infineon
BSC100N10NSFGATMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | BSC265N10LSFGATMA1 | BSC100N10NSFGATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 40 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 6.5 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 78 W | — |
| Technology | OptiMOS 2 (TrenchFET) | MOSFET (Metal Oxide) |
| العلبة | PG-TDSON-8-1 (TDSON-8) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total at VGS=10V] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss typical] | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 C to +150 C (junction) | -55C to +150C (junction) |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Series | OptiMOS 2 | OptiMOS |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Continuous Drain Current (ID), Ta | — | 11.4 A |
| Continuous Drain Current (ID), Tc | — | 90 A |
| Power Dissipation (PD), Tc | — | 156 W |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 10 mΩ |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V (for rated RDS(on)) |