BSC265N10LSFGATMA1 vs BSC100N10NSFGATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC265N10LSFGATMA1 tarafından Infineon ve BSC100N10NSFGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC265N10LSFGATMA1 BSC100N10NSFGATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 40 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 6.5 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 78 W —
Technology OptiMOS 2 (TrenchFET) MOSFET (Metal Oxide)
Paket PG-TDSON-8-1 (TDSON-8) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total at VGS=10V] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss typical] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C (junction) -55C to +150C (junction)
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Avalanche Rated Yes —
Series OptiMOS 2 OptiMOS
Manufacturer — Infineon Technologies
Continuous Drain Current (ID), Ta — 11.4 A
Continuous Drain Current (ID), Tc — 90 A
Power Dissipation (PD), Tc — 156 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 10 mΩ
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V (for rated RDS(on))

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin