BSF134N10NJ3GXUMA1 vs BSC019N08NS5ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSF134N10NJ3GXUMA1 بواسطة Infineon و BSC019N08NS5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSF134N10NJ3GXUMA1 BSC019N08NS5ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 100 V —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 9 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 40 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.2 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 43 W —
العلبة MG-WDSON-2 (CanPAK M) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Configuration Single with built-in diode —
Terminal Position Bottom —
Terminal Finish Silver Nickel —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55°C to +150°C (TJ max) [DATA_NEEDED: exact Min/Max from datasheet] -55 C to +150 C
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Technology Trench-gate OptiMOS planar OptiMOS 5 (N-channel trench)
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
RDS(on) at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max value] —
Body Diode Reverse Recovery [DATA_NEEDED: trr value] —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 237 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.9 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.0 V
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Power Dissipation (TA=25C) — 3 W
Power Dissipation (TC=25C) — 214 W
Avalanche Rated — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر