BSF134N10NJ3GXUMA1 vs IPB024N10N5ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSF134N10NJ3GXUMA1 بواسطة Infineon و IPB024N10N5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSF134N10NJ3GXUMA1 IPB024N10N5ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 100 V —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 9 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 40 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.2 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 43 W —
العلبة MG-WDSON-2 (CanPAK M) PG-TO263-7 (D2PAK-7)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Configuration Single with built-in diode —
Terminal Position Bottom —
Terminal Finish Silver Nickel —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55°C to +150°C (TJ max) [DATA_NEEDED: exact Min/Max from datasheet] -55C to +175C (junction)
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH)
Technology Trench-gate OptiMOS planar OptiMOS 5 N-Channel MOSFET (trench, shielded gate)
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
RDS(on) at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max value] —
Body Diode Reverse Recovery [DATA_NEEDED: trr value] —
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 180 A
Power Dissipation (PD, TC=25C) — 250 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.4 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Input Capacitance Ciss — [DATA_NEEDED: Ciss value]
Output Capacitance Coss — [DATA_NEEDED: Coss value]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: Qrr value]
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel)
خالٍ من الهالوجين — Yes (per Infineon product family policy)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر