BSL215CH6327XTSA1 vs IRLL2705TRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSL215CH6327XTSA1 بواسطة Infineon و IRLL2705TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSL215CH6327XTSA1 | IRLL2705TRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS | — |
| FET Type | N-Channel and P-Channel Complementary Pair | N-Channel MOSFET, Metal Oxide |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 20 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) | 1.5 A | — |
| R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V | 250 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Power Dissipation (P_D) | 500 mW | — |
| العلبة / الحالة | PG-TSOP6-6 (6-pin TSOP) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C | — |
| Configuration | Half-bridge (1 N + 1 P) | — |
| Technology | OptiMOS trench MOSFET | HEXFET (IR MOSFET fifth generation) |
| مستوى MSL | 1 (unlimited) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes (PBF suffix) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at 25 deg C | — | 3.8 A |
| Peak Drain Current (IDM, pulsed) | — | 5.2 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 40 mOhm |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 32 nC |
| Gate Drive Level | — | Logic-Level |
| Power Dissipation at TA=25 deg C | — | 1 W (Ta), 2.1 W (per LCSC listing) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 deg C to +175 deg C |
| العلبة | — | SOT-223 |
| Dynamic dv/dt Rating | — | Yes |