BSL308PEH6327XTSA1 vs BSS192PH6327FTSA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSL308PEH6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSS192PH6327FTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSL308PEH6327XTSA1 | BSS192PH6327FTSA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS | SIPMOS Small-Signal-Transistor |
| FET Type | 2x P-Channel (Dual) | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | -2 A (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | — |
| العلبة | PG-TSOP6-6 (TSOT-23-6) | PG-SOT89 (SOT-89-3, 4-pin 3+Tab) |
| Configuration | Dual, common source | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -55 C to +150 C (TJ) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 (per distributor listing) |
| عدد الدبابيس | 6 | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V / 4.5V] | — |
| حالة RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: explicit RoHS status from datasheet] |
| Technology | — | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 250 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25C | — | 190 mA (Ta) |
| Power Dissipation (Pd) | — | 1 W (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | — | 2.8 V, 10 V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | — | [DATA_NEEDED: Rds On max @ Vgs] |
| Vgs(th) (Max) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage max] |
| Vgs(th) (Typ) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage typ] |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | [DATA_NEEDED: Tj max / operating temp] |
| Part Status | — | Active |