BSL308PEH6327XTSA1 vs BSS192PH6327FTSA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSL308PEH6327XTSA1 द्वारा Infineon और BSS192PH6327FTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSL308PEH6327XTSA1 | BSS192PH6327FTSA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS | SIPMOS Small-Signal-Transistor |
| FET Type | 2x P-Channel (Dual) | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | -2 A (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | — |
| पैकेज | PG-TSOP6-6 (TSOT-23-6) | PG-SOT89 (SOT-89-3, 4-pin 3+Tab) |
| Configuration | Dual, common source | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55 C to +150 C (TJ) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 (per distributor listing) |
| पिन की संख्या | 6 | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V / 4.5V] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | [DATA_NEEDED: explicit RoHS status from datasheet] |
| Technology | — | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 250 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25C | — | 190 mA (Ta) |
| Power Dissipation (Pd) | — | 1 W (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | — | 2.8 V, 10 V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | — | [DATA_NEEDED: Rds On max @ Vgs] |
| Vgs(th) (Max) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage max] |
| Vgs(th) (Typ) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage typ] |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | [DATA_NEEDED: Tj max / operating temp] |
| Part Status | — | Active |