BSP135H6327XTSA1 vs BSL308CH6327XTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSP135H6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSL308CH6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSP135H6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSP135H6327XTSA1 —
FET Type N-Channel, Depletion Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID) 120 mA —
Power Dissipation (PD) 1.8 W —
On-Resistance RDS(on) max 45 ohm at VGS = 0 V —
On-Resistance RDS(on) 25 ohm (typical, per digchip) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Operating Mode Normally ON (depletion) —
العلبة PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab) PG-TSOP6-6 (TSOP-6, 6 pins)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology SIPMOS (planar DMOS) —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (junction, typical) -55 °C to +150 °C
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Product Family — OptiMOS™ low-voltage power MOSFETs
Configuration — Complementary dual MOSFET (1 N-channel + 1 P-channel)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current - N-channel (ID, N-ch) — 2.3 A
Continuous Drain Current - P-channel (ID, P-ch) — 2 A
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
On-State Resistance N-channel (RDS(on) @ VGS=10V) — [DATA_NEEDED: RDS(on) N-ch]
On-State Resistance P-channel (RDS(on) @ VGS=10V) — [DATA_NEEDED: RDS(on) P-ch]
Total Gate Charge (Qg) — 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) — 18 pF
Automotive Qualified — Yes (per Infineon part-number suffix, automotive grade)
Lead-Free — Yes
خالٍ من الهالوجين — Yes (per Infineon product family convention)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر