BSP316PH6327XTSA1 vs BSP315PH6327XTSA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSP316PH6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSP315PH6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSP316PH6327XTSA1 | BSP315PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | P-Channel | P-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | -100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | -680 mA | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C | 1.8 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| العلبة | PG-SOT223-4 (TO-261-4) | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 C to +150 C (junction) | -55 C to +150 C (junction) |
| عدد الدبابيس | 3 + thermal tab | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Technology | SIPMOS (P-channel MOSFET) | OptiMOS (enhancement mode) |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| مستوى MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Packaging | Tape & Reel (H6327 suffix) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | -1.17 A (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 1.8 W (Ta) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V (max) |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (per datasheet) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes / Compliant |