BSP316PH6327XTSA1 vs BSP315PH6327XTSA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSP316PH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSP315PH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSP316PH6327XTSA1 | BSP315PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | P-Channel | P-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | -100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | -680 mA | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C | 1.8 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Paket | PG-SOT223-4 (TO-261-4) | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +150 C (junction) | -55 C to +150 C (junction) |
| Pin Sayısı | 3 + thermal tab | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Technology | SIPMOS (P-channel MOSFET) | OptiMOS (enhancement mode) |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| MSL Seviyesi | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Packaging | Tape & Reel (H6327 suffix) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | -1.17 A (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 1.8 W (Ta) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V (max) |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (per datasheet) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes / Compliant |