BSS123NH6327XTSA1 vs IRFR3710ZTRLPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSS123NH6327XTSA1 بواسطة Infineon و IRFR3710ZTRLPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل BSS123NH6327XTSA1 IRFR3710ZTRLPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSS123NH6327XTSA1 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) 190 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
RDS(on) Max 6 Ω @ VGS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical and max VGS(th)] —
Gate-Source Voltage Max (VGS) ±20 V —
العلبة PG-SOT23 (SOT-23-3) TO-252AA (DPAK), 3-pin (2+tab)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +150 °C (junction) —
Qualification AEC-Q101 (automotive) —
RoHS Compliance Yes (Pb-free lead plating) —
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Technology — MOSFET (Metal Oxide), HEXFET
Drain to Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C (Tc) — 42 A
Max Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max @ VGS=10V — 18 mOhm
Gate-Source Voltage (Vgs) max — [DATA_NEEDED: Vgs max rating]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th) typ) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Total Gate Charge (Qg) — 69 nC
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 140 W
Avalanche Energy Rating (EAS) — 150 mJ
Maximum Junction Temperature — 175 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per Lisleapex listing)
Configuration — Single with built-in diode
درجة حرارة التشغيل — -55 C to +175 C (TJ)
حالة RoHS — Compliant (Pb-free PBF suffix)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر