BSS123NH6327XTSA1 vs IRFR3710ZTRLPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSS123NH6327XTSA1 מאת Infineon ו IRFR3710ZTRLPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSS123NH6327XTSA1 | IRFR3710ZTRLPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSS123NH6327XTSA1 | — |
| Part Status | Active | — |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 190 mA (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | — |
| RDS(on) Max | 6 Ω @ VGS = 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical and max VGS(th)] | — |
| Gate-Source Voltage Max (VGS) | ±20 V | — |
| מארז | PG-SOT23 (SOT-23-3) | TO-252AA (DPAK), 3-pin (2+tab) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 °C to +150 °C (junction) | — |
| Qualification | AEC-Q101 (automotive) | — |
| RoHS Compliance | Yes (Pb-free lead plating) | — |
| רמת MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Technology | — | MOSFET (Metal Oxide), HEXFET |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25C (Tc) | — | 42 A |
| Max Pulsed Drain Current (Idm) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 18 mOhm |
| Gate-Source Voltage (Vgs) max | — | [DATA_NEEDED: Vgs max rating] |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 69 nC |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C | — | 140 W |
| Avalanche Energy Rating (EAS) | — | 150 mJ |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 (per Lisleapex listing) |
| Configuration | — | Single with built-in diode |
| טמפרטורת פעולה | — | -55 C to +175 C (TJ) |
| סטטוס RoHS | — | Compliant (Pb-free PBF suffix) |