BSS214NWH6327XTSA1 vs BTS3118NHUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSS214NWH6327XTSA1 بواسطة Infineon و BTS3118NHUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 ✓ نشط
Infineon
BTS3118NHUMA1 BTS3118NHUMA1 - 2.17A Smart Low-Side Switch | Infineon

BTS3118NHUMA1 - 2.17A Smart Low-Side Switch | Infineon

BTS3118NHUMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل BSS214NWH6327XTSA1 BTS3118NHUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSS214NWH6327XTSA1 —
Series OptiMOS —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 20 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C 1.5 A —
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V 250 mOhm —
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5 V, 4.5 V —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C 500 mW —
العلبة PG-SOT323 (SOT-323-3) PG-SOT223-4
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (junction) -40 C to +150 C junction
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
حالة RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Switch Type — Low-Side Power Switch
تكوين الخرج — 1:1
عدد المخارج — 1
Continuous Drain Current — 2.17 A
Operating Voltage (Vbb) — 6 V to 18 V nominal (overvoltage protected)
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at 25C]
Input Logic Level — Logic-level (3.3 V / 5 V MCU compatible)
Input Protection — ESD protected
Thermal Protection — Thermal shutdown with latch
Fault Protection — Overload, short-circuit, overvoltage, current limit
RoHS Compliance — Green product, RoHS compliant
Process Technology — Smart SIPMOS (vertical N-channel)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر