BSZ011NE2LS5IATMA1 vs ISC011N03L5SATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSZ011NE2LS5IATMA1 بواسطة Infineon و ISC011N03L5SATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSZ011NE2LS5IATMA1 | ISC011N03L5SATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (Trench) | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 35 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 40 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10 V | 1.1 mΩ (typical, per datasheet title) | — |
| Power Dissipation at TA=25°C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation at TC=25°C | 69 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 1.0 V to 2.0 V (typical 1.5 V) | — |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 4.5 V to 10 V | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55°C to +150°C | — |
| العلبة | PG-TSDSON-8-34 (PQFN 3.3x3.3 mm) | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C | — | 37 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | — | 100 A |
| Power Dissipation (PD) @ Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25C | — | 96 W |
| درجة حرارة التشغيل | — | -55 C to +175 C (TJ) |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |