BSZ018NE2LSATMA1 vs BSZ018NE2LSIATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSZ018NE2LSATMA1 بواسطة Infineon و BSZ018NE2LSIATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSZ018NE2LSATMA1 | BSZ018NE2LSIATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 25V | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | OptiMOS (Infineon trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (TA) | 23 A | — |
| Continuous Drain Current (TC) | 40 A | — |
| Power Dissipation (TA) | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 69 W | — |
| On-Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at VGS=10V] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] | — |
| Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C | -55 C to +150 C |
| العلبة | PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad) | PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| Part Number | — | BSZ018NE2LSIATMA1 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 22 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 40 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 160 A |
| Typical On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 1.8 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Power Dissipation at Ta=25C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation at Tc=25C | — | 69 W |