BSZ0901NSIATMA1 vs BSZ0501NSIATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSZ0901NSIATMA1 بواسطة Infineon و BSZ0501NSIATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSZ0901NSIATMA1 BSZ0501NSIATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSZ0901NSIATMA1 BSZ0501NSIATMA1
Series OptiMOS 25V —
Technology OptiMOS trench N-channel MOSFET —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 25 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 40 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 69 W —
العلبة PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm) PG-TSDSON-8-FL (3.3 x 3.3 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 8 —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] [DATA_NEEDED: Qg]
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +150 C (typical MOSFET range) [DATA_NEEDED: Tj max]
Packaging Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel) —
حالة RoHS Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 5 (25V/30V)
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) at TA=25C — 25 A
Continuous Drain Current (Id) at TC=25C — 40 A
Power Dissipation (Pd) at TA=25C — 2.1 W
Power Dissipation (Pd) at TC=25C — 50 W
Operating Mode — Enhancement Mode
Configuration — Single with built-in diode
Number of Terminals — 8
JESD-609 Code — e3 (matte tin)
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Rds(on) at Vgs=10V (typ) — [DATA_NEEDED: Rds(on) value]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر