BTF3050TEATMA1 vs BTH60801EPLXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BTF3050TEATMA1 بواسطة Infineon و BTH60801EPLXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BTF3050TEATMA1 BTH60801EPLXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Switch Type N-Channel Low-Side Power Switch —
تكوين الخرج 1:1 (Single channel) —
Continuous Drain Current (ID) 3 A —
On-Resistance (RDS(on)) Max 100 mOhm —
Current Limit (Internal) 30 A —
Logic Input Voltage (Vcc) 3.0 V to 5.5 V —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS —
Turn-On Time Max 15 us —
Turn-Off Time Max 30 us —
Adjustable Slew Rate Yes (SR pin) —
ESD Protection Yes (on-chip) —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +150 C -40 °C to +150 °C (Tj)
العلبة PG-TO252-5-11 (DPAK-5) PG-TSDSO-14 (exposed pad)
نوع التركيب Surface Mount (DPAK tab) Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified AEC-Q100 qualified
Family HITFET+ (low-side) —
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Product Type — Smart High-Side Power Switch
Number of Channels — 1
البنية الطوبولوجية — High-Side N-Channel MOSFET with Charge Pump
On-State Resistance (RDS(on)) — 80 mΩ (typical)
Continuous Load Current — 2.5 A
Operating Voltage Range — 4 V to 54 V
Nominal Board Net — 48 V (PROFET+ 48V family)
Current Limitation — Adjustable
Diagnostic Output — Current Sense (IS) pin
Input Logic — Active High and Active Low
Protection Features — Overtemperature, Overvoltage, Undervoltage, Short Circuit

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر