BTH60801EPLXUMA1 vs BTH61002EPAXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BTH60801EPLXUMA1 بواسطة Infineon و BTH61002EPAXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BTH60801EPLXUMA1 BTH61002EPAXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Smart High-Side Power Switch —
Number of Channels 1 2
البنية الطوبولوجية High-Side N-Channel MOSFET with Charge Pump Dual high-side switch (2 x 1:1)
On-State Resistance (RDS(on)) 80 mΩ (typical) —
Continuous Load Current 2.5 A —
Operating Voltage Range 4 V to 54 V —
Nominal Board Net 48 V (PROFET+ 48V family) —
Current Limitation Adjustable Adjustable
Diagnostic Output Current Sense (IS) pin —
Input Logic Active High and Active Low —
Protection Features Overtemperature, Overvoltage, Undervoltage, Short Circuit —
العلبة PG-TSDSO-14 (exposed pad) PG-TSDSO-14 (exposed pad)
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 °C to +150 °C (Tj) -40 C to +150 C [DATA_NEEDED: junction T_max]
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified AEC-Q100
حالة RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — PROFET + 48V
Switch Type — N-channel vertical power MOSFET with charge pump
Continuous Load Current per Channel — 2.0 A
Typical On-State Resistance (Ron) — 200 mOhm
Nominal Supply Voltage — 54 V
Maximum Operating Voltage — 60 V
Load Dump Capability — 60 V
Input Control Logic — Active-High / Active-Low
Diagnostic Function — Current sense output, open-load detection, short-to-ground/short-to-battery, overtemperature

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر