BTH60801EPLXUMA1 vs BTH61002EPAXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BTH60801EPLXUMA1 מאת Infineon ו BTH61002EPAXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר BTH60801EPLXUMA1 BTH61002EPAXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Product Type Smart High-Side Power Switch —
Number of Channels 1 2
טופולוגיה High-Side N-Channel MOSFET with Charge Pump Dual high-side switch (2 x 1:1)
On-State Resistance (RDS(on)) 80 mΩ (typical) —
Continuous Load Current 2.5 A —
Operating Voltage Range 4 V to 54 V —
Nominal Board Net 48 V (PROFET+ 48V family) —
Current Limitation Adjustable Adjustable
Diagnostic Output Current Sense (IS) pin —
Input Logic Active High and Active Low —
Protection Features Overtemperature, Overvoltage, Undervoltage, Short Circuit —
מארז PG-TSDSO-14 (exposed pad) PG-TSDSO-14 (exposed pad)
טווח טמפרטורת פעולה -40 °C to +150 °C (Tj) -40 C to +150 C [DATA_NEEDED: junction T_max]
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified AEC-Q100
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — PROFET + 48V
Switch Type — N-channel vertical power MOSFET with charge pump
Continuous Load Current per Channel — 2.0 A
Typical On-State Resistance (Ron) — 200 mOhm
Nominal Supply Voltage — 54 V
Maximum Operating Voltage — 60 V
Load Dump Capability — 60 V
Input Control Logic — Active-High / Active-Low
Diagnostic Function — Current sense output, open-load detection, short-to-ground/short-to-battery, overtemperature

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר