BTS50101EKBXUMA1 vs BTS51202EKAXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BTS50101EKBXUMA1 بواسطة Infineon و BTS51202EKAXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BTS50101EKBXUMA1 BTS51202EKAXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Smart High-Side Power Switch (PROFET) —
Number of Channels 1 2
On-State Resistance (RDS(on), typ) 16 mΩ —
On-State Resistance (RDS(on), max) 20 mΩ —
Continuous Load Current 10 A —
Operating Voltage Range 4.5 V to 28 V —
Load Dump Protection Yes (per automotive transient profile) —
Technology Smart6 (N-channel vertical MOSFET + charge pump) Smart6 (N-channel vertical MOSFET with charge pump)
العلبة PG-DSO-14-47 EP (DSO-14 with exposed pad) PG-DSO-14-40-EP (14-pin SOIC with exposed pad)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 °C to +150 °C (junction) —
Diagnostic Feature Current sense (analog) output pin —
Protection Features Overtemperature, overcurrent, overvoltage, reverse battery, ground loss —
مستوى MSL 3 —
حالة RoHS Compliant Compliant
البنية الطوبولوجية — Dual High-Side Switch (2 channels)
On-State Resistance (RDS(on)) — 120 mΩ (typical per channel)
Continuous Output Current — 2 A per channel (typical 2.5 A)
Operating Voltage (Vbb) — 8 V to 18 V
Load Type — Lamps up to 1×10 W, LEDs, resistive/inductive loads
درجة حرارة التشغيل — -40 °C to +150 °C
Maximum Power Dissipation — 1800 mW
Integrated Protection — Over-current, Short-circuit, Over-temperature, Over-voltage, Under-voltage lockout, Reverse battery
Diagnostic Output — Yes (status feedback pin)
Charge Pump — Integrated
Automotive Qualified — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر