CY14B101J2-SXI vs CY14B101J2 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ CY14B101J2-SXI بواسطة Infineon و CY14B101J2 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل CY14B101J2-SXI CY14B101J2
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة nvSRAM (Non-Volatile SRAM) nvSRAM (Non-Volatile SRAM)
حجم الذاكرة 1 Mbit —
التنظيم 128K x 8 128K x 8
الواجهة I2C Serial (2-wire) I2C (Serial)
أقصى تردد للساعة 3.4 MHz —
Data Retention 20 years 20 years
Density 1049 kbits 1 Mbit (1049 kbits)
Package Type 8-SOIC (0.300 inch, MO-119 family) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
جهد التغذية [DATA_NEEDED: supply voltage range] [DATA_NEEDED: supply voltage range]
Write Endurance Unlimited SRAM reads/writes; non-volatile STORE endurance [DATA_NEEDED: STORE endurance] —
Store Mechanism Software / auto-store with external VCAP capacitor —
حالة RoHS RoHS Compliant RoHS Compliant
Packaging Tube —
Max Clock Frequency — 3.4 MHz
Store Cycles — [DATA_NEEDED: minimum non-volatile store cycles]
SRAM Read/Write Cycles — Unlimited (per nvSRAM architecture)
Address Pins — A0, A1, A2
Automatic Store — Yes (internal power-fail detection)
العلبة — 16-SOIC (MO-119, 0.300 inch)
Real Time Clock — [DATA_NEEDED: RTC availability]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر