CY14B101J2-SXI vs CY14B101J2-SXIT مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ CY14B101J2-SXI بواسطة Infineon و CY14B101J2-SXIT بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل CY14B101J2-SXI CY14B101J2-SXIT
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة nvSRAM (Non-Volatile SRAM) nvSRAM (Non-Volatile SRAM)
حجم الذاكرة 1 Mbit 1 Mbit (128K x 8)
التنظيم 128K x 8 128K words x 8 bits
الواجهة I2C Serial (2-wire) I2C (2-wire serial)
أقصى تردد للساعة 3.4 MHz —
Data Retention 20 years [DATA_NEEDED: data retention duration]
Density 1049 kbits —
Package Type 8-SOIC (0.300 inch, MO-119 family) SOIC-16, 0.300 inch (MO-119)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +85C
جهد التغذية [DATA_NEEDED: supply voltage range] —
Write Endurance Unlimited SRAM reads/writes; non-volatile STORE endurance [DATA_NEEDED: STORE endurance] —
Store Mechanism Software / auto-store with external VCAP capacitor —
حالة RoHS RoHS Compliant Compliant (SOIC-16, RoHS compliant per digchip)
Packaging Tube Tape & Reel (T suffix)
Max Clock Frequency — 3.4 MHz
جهد التغذية التشغيلي — 3.0 V (B series core range, 2.7V to 3.6V per datasheet)
Store Cycles — [DATA_NEEDED: non-volatile store cycle endurance]
SRAM Read/Write Cycles — Infinite (unlimited)
Pins — 16
Moisture Sensitivity Level — [DATA_NEEDED: MSL level]
Product Series — CY14B101J2
Real-Time Clock — [DATA_NEEDED: RTC availability confirmation]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر