CY14V104LA-BA25XI vs CY14V104LA مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ CY14V104LA-BA25XI بواسطة Infineon و CY14V104LA بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
CY14V104LA-BA25XI CY14V104LA-BA25XI - 4Mbit nvSRAM 25ns FBGA-48 | Infineon

CY14V104LA-BA25XI - 4Mbit nvSRAM 25ns FBGA-48 | Infineon

CY14V104LA-BA25XI ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل CY14V104LA-BA25XI CY14V104LA
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة nvSRAM (Non-Volatile SRAM) Non-Volatile SRAM (nvSRAM)
حجم الذاكرة 4 Mbit —
التنظيم 512K x 8 / 256K x 16 —
الواجهة Parallel Parallel (asynchronous SRAM-compatible)
Access Time 25 ns 25 ns (BA25) or 45 ns (BA45)
جهد التغذية 3 V (typical 3.3 V) —
درجة حرارة التشغيل -40C to +85C -40 C to +85 C (industrial)
STORE Cycle Endurance 1,000,000 cycles minimum —
Data Retention 20 years [DATA_NEEDED: retention years]
SRAM Read/Write Endurance Unlimited (infinite SRAM cycles) —
Address Bus (x8 mode) A0 to A18 —
Address Bus (x16 mode) A0 to A17 with BHE/BLE byte enables —
Non-Volatile Functions Automatic STORE on power-down, RECALL on power-up, software STORE/RECALL, HSB pin —
العلبة 48-FBGA (6 x 10 mm, 1.20 mm height) 48-FBGA (6 x 10 x 1.20 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
Grade Industrial —
Density — 4 Mbit (512 K x 8 / 256 K x 16)
Operating Voltage — 3.3 V (3.0 V min, 3.6 V max)
Bus Width — x8 / x16 selectable (BYTE pin)
STORE Time (typical) — [DATA_NEEDED: STORE time in ms]
RECALL Time (typical) — [DATA_NEEDED: RECALL time in ms]
Active Supply Current (Icc) — [DATA_NEEDED: Icc active mA]
Standby Current (Isb) — [DATA_NEEDED: Isb uA]
Hardware STORE Pin — HSB (active low)
Auto STORE on VCC Drop — Yes (integrated VCc monitor)
Read/Write Endurance — Unlimited (SRAM side)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر