EDB1332BDBH-1DAUT-F-D vs EDB1332BDBH-1DAUT-F-R مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EDB1332BDBH-1DAUT-F-D بواسطة Micron Technology و EDB1332BDBH-1DAUT-F-R بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
EDB1332BDBH-1DAUT-F-D EDB1332BDBH-1DAUT-F-D - 1Gbit LPDDR2 533MHz | Micron

EDB1332BDBH-1DAUT-F-D - 1Gbit LPDDR2 533MHz | Micron

EDB1332BDBH-1DAUT-F-D ✓ نشط
Micron Technology
EDB1332BDBH-1DAUT-F-R EDB1332BDBH-1DAUT-F-R - 1Gbit LPDDR2 SDRAM 533MHz | Micron

EDB1332BDBH-1DAUT-F-R - 1Gbit LPDDR2 SDRAM 533MHz | Micron

EDB1332BDBH-1DAUT-F-R ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل EDB1332BDBH-1DAUT-F-D EDB1332BDBH-1DAUT-F-R
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
سعر الوحدة (USD) $2.16 —
نوع الذاكرة SDRAM - Mobile LPDDR2 SDRAM Mobile - LPDDR2
حجم الذاكرة 1 Gbit 1 Gbit
التنظيم 32M x 32 32M x 32
الواجهة Parallel Parallel
Clock Frequency 533 MHz 533 MHz
Core Supply Voltage 1.2 V —
Supply Voltage Range 1.14 V to 1.95 V —
Access Mode Single Bank Page Burst —
العلبة 134-VFBGA (10 x 11.5 mm) 134-VFBGA (10 mm x 11.5 mm)
Number of Terminals 134 —
نوع التركيب Surface Mount —
Temperature Grade Automotive —
Package Shape Rectangular —
Packaging Suffix -D (Dry Pack) —
Moisture Sensitivity Dry Pack (per -D suffix) —
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: Operating Temperature] —
عرض ناقل البيانات — 32 bit
Supply Voltage - Min — 1.14 V
Supply Voltage - Typ — 1.2 V
Operating Temperature - Min — -40 C
Operating Temperature - Max — +125 C
JEDEC Package Code — R-PBGA-B134
نمط التركيب — SMD/SMT
Factory Pack Quantity — 1000
Packaging — Tape & Reel (-R suffix)
Technology — CMOS
حالة RoHS — Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر