EDB2432B4MA-1DAUT-F-R vs EDB2432B4MA-1DAUT-F-D مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EDB2432B4MA-1DAUT-F-R بواسطة Micron Technology و EDB2432B4MA-1DAUT-F-D بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
EDB2432B4MA-1DAUT-F-R EDB2432B4MA-1DAUT-F-R - 2Gbit LPDDR2 DRAM 533MHz | Micron

EDB2432B4MA-1DAUT-F-R - 2Gbit LPDDR2 DRAM 533MHz | Micron

EDB2432B4MA-1DAUT-F-R ✓ نشط
Micron Technology
EDB2432B4MA-1DAUT-F-D EDB2432B4MA-1DAUT-F-D - 2Gbit LPDDR2 SDRAM 533MHz | Micron

EDB2432B4MA-1DAUT-F-D - 2Gbit LPDDR2 SDRAM 533MHz | Micron

EDB2432B4MA-1DAUT-F-D ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل EDB2432B4MA-1DAUT-F-R EDB2432B4MA-1DAUT-F-D
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة LPDDR2 SDRAM (DRAM, mobile LPDDR2) Volatile Memory - DRAM
حجم الذاكرة 2 Gbit 2 Gbit (64M x 32)
التنظيم 64M x 32 64M x 32
الواجهة Parallel Parallel
Clock Frequency 533 MHz 533 MHz
Supply Voltage (Min) 1.14 V —
Supply Voltage (Max) 1.3 V —
العلبة / الحالة 134-VFBGA (10 x 11.5 mm) —
Die Package Configuration DDP (Double Die Package) —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40C to +125C (Automotive)
Grade Automotive (AUT) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Terminal Count 134 —
Memory Circuits 1 —
Packaging Tape & Reel (TR suffix) —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Technology — SDRAM - Mobile LPDDR2
العلبة — 134-VFBGA (10 x 11.5 mm)
Package Construction — DDP (Double-Die Package)
Marking Code — D9WVG
Part Status — Active
Lead-Free Status — Lead free (-F suffix)
Halogen-Free Status — Halogen free (-F suffix)
جهد التغذية — [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ supply voltage]
Write Cycle Time - Word, Page — [DATA_NEEDED: write cycle time]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر