EDB2432B4MA-1DAUT-F-R vs EDB2432B4MA-1DAUT-F-D तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना EDB2432B4MA-1DAUT-F-R द्वारा Micron Technology और EDB2432B4MA-1DAUT-F-D द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
EDB2432B4MA-1DAUT-F-R EDB2432B4MA-1DAUT-F-R - 2Gbit LPDDR2 DRAM 533MHz | Micron

EDB2432B4MA-1DAUT-F-R - 2Gbit LPDDR2 DRAM 533MHz | Micron

EDB2432B4MA-1DAUT-F-R ✓ सक्रिय
Micron Technology
EDB2432B4MA-1DAUT-F-D EDB2432B4MA-1DAUT-F-D - 2Gbit LPDDR2 SDRAM 533MHz | Micron

EDB2432B4MA-1DAUT-F-D - 2Gbit LPDDR2 SDRAM 533MHz | Micron

EDB2432B4MA-1DAUT-F-D ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर EDB2432B4MA-1DAUT-F-R EDB2432B4MA-1DAUT-F-D
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार LPDDR2 SDRAM (DRAM, mobile LPDDR2) Volatile Memory - DRAM
मेमोरी आकार 2 Gbit 2 Gbit (64M x 32)
संगठन 64M x 32 64M x 32
इंटरफ़ेस Parallel Parallel
Clock Frequency 533 MHz 533 MHz
Supply Voltage (Min) 1.14 V —
Supply Voltage (Max) 1.3 V —
पैकेज / केस 134-VFBGA (10 x 11.5 mm) —
Die Package Configuration DDP (Double Die Package) —
ऑपरेटिंग तापमान -40C to +125C -40C to +125C (Automotive)
Grade Automotive (AUT) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Terminal Count 134 —
Memory Circuits 1 —
Packaging Tape & Reel (TR suffix) —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] —
MSL स्तर [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Technology — SDRAM - Mobile LPDDR2
पैकेज — 134-VFBGA (10 x 11.5 mm)
Package Construction — DDP (Double-Die Package)
Marking Code — D9WVG
Part Status — Active
Lead-Free Status — Lead free (-F suffix)
Halogen-Free Status — Halogen free (-F suffix)
सप्लाई वोल्टेज — [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ supply voltage]
Write Cycle Time - Word, Page — [DATA_NEEDED: write cycle time]

डेटाशीट और संसाधन

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