EP1S25F780C5N vs EP1S25F780I6 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EP1S25F780C5N بواسطة Intel و EP1S25F780I6 بواسطة Altera. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل EP1S25F780C5N EP1S25F780I6
العلامة التجارية Intel Altera
الفئة FPGA & CPLD FPGA & CPLD
حالة دورة الحياة Obsolete Obsolete
Family Stratix Stratix
Logic Elements 25,660 —
Logic Array Blocks (LABs) 2,566 —
Maximum User I/O 597 —
العلبة 780-ball FBGA, 29 x 29 mm, 1.0 mm pitch 780-ball FBGA (FineLine BGA, 29 x 29 mm, 1 mm pitch)
Process Technology 130 nm CMOS —
Core Supply Voltage 1.5 V —
درجة حرارة التشغيل 0 C to 85 C (Commercial Extended) 0 °C to +85 °C (Industrial, -I6 grade)
Embedded Memory TriMatrix memory blocks, up to ~1.92 Mbits total —
DSP Blocks Dedicated multiplier/accumulator blocks 28
PLLs 4 —
I/O Banks 12 —
Maximum Frequency (internal) up to 500 MHz logic, 420 MHz DSP —
Supported I/O Standards LVTTL, LVCMOS, SSTL, HSTL, LVDS, LVPECL, PCI, PCI-X —
Configuration Modes Passive Serial, Passive Parallel Sync/Async, JTAG —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: confirm per specific reel lot] [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
نوع التركيب Surface Mount (BGA) Surface Mount (BGA)
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating per JEDEC J-STD-020] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Logic Elements (LE) — 25,660
Logic Array Blocks (LAB) — 2,566
Total RAM Bits — 1,944,576
Embedded Multipliers — 9-bit x 9-bit, in DSP blocks
User I/O Count — 597
Process Node — 0.13 µm all-layer copper SRAM
Core Voltage VCCINT — 1.5 V typical
Configuration — JTAG (IEEE 1149.1), Passive Serial, Fast Passive Parallel
Maximum Internal Frequency — [DATA_NEEDED: internal fMAX per logic cell]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر