EP3SE110F780I3N vs EP3SE110F780C3N مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EP3SE110F780I3N بواسطة Intel و EP3SE110F780C3N بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل EP3SE110F780I3N EP3SE110F780C3N
العلامة التجارية Intel Intel
الفئة FPGA & CPLD FPGA & CPLD
حالة دورة الحياة NRND نشط
Family Stratix III E Stratix III E
Logic Elements 107,500 —
Logic Array Blocks (LABs) 4,300 4,300
Embedded Memory Bits 8,936,448 (approximately 1.1 MB) 8,936,448
Maximum User I/Os 488 —
Core Voltage 1.1 V (range 1.05 V to 1.15 V) 1.1 V
Process Technology 65 nm CMOS 65 nm
العلبة 780-pin FC-FBGA (Flip-Chip FineLine BGA) 780-ball FCBGA (Flip-Chip BGA)
درجة حرارة التشغيل -40 °C to +100 °C (Industrial, "I" grade) —
Configuration Interface Passive Serial (PS), Fast Passive Parallel (FPP), JTAG (IEEE 1149.1) —
Boundary-Scan Test Yes, per IEEE Std. 1149.1 —
Speed Grade 3 (Fast) —
PLLs Yes, with global and regional clock networks —
نوع التركيب Surface Mount (BGA) Surface Mount (BGA)
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Supply Voltage Tolerance 1.05 V to 1.15 V —
Logic Elements (LEs) — 107,500
User I/Os — 488
Maximum Operating Frequency — 500 MHz
DSP Blocks — Yes (integrated, count varies by configuration)
Transceiver Channels — 8 (multi-gigabit)
Embedded Memory — TriMatrix (MLAB + M9K + M144K)
Configuration Method — Serial / Parallel via Quartus II
Operating Temperature Grade — Commercial (C suffix)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر