EP3SE260H780C2N vs EP3SE260H780C4LN مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EP3SE260H780C2N بواسطة Intel و EP3SE260H780C4LN بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Intel
EP3SE260H780C2N EP3SE260H780C2N - Stratix III E FPGA 255K LE, 780-BGA | Intel

EP3SE260H780C2N - Stratix III E FPGA 255K LE, 780-BGA | Intel

EP3SE260H780C2N ⚠ آخر فرصة للشراء
Intel
EP3SE260H780C4LN EP3SE260H780C4LN - Stratix III E FPGA 255K LE 780-FCBGA | Intel

EP3SE260H780C4LN - Stratix III E FPGA 255K LE 780-FCBGA | Intel

EP3SE260H780C4LN ⚠ آخر فرصة للشراء

مقارنة المواصفات

المعامل EP3SE260H780C2N EP3SE260H780C4LN
العلامة التجارية Intel Intel
الفئة FPGA & CPLD FPGA & CPLD
حالة دورة الحياة آخر فرصة للشراء آخر فرصة للشراء
Series Stratix III E —
Logic Elements 255,000 255,000
LABs / CLBs 10,200 —
Total RAM Bits 16,672,768 —
User I/O Count 488 488
Number of Transceivers [DATA_NEEDED: transceiver count] —
Core Voltage 0.9 V —
العلبة 780-BGA FCBGA 780-ball FCBGA (FineLine BGA)
نوع التركيب Surface Mount —
نطاق درجة حرارة التشغيل Commercial (0C to +85C) —
Speed Grade C2 C4 (commercial, moderate speed)
مستوى MSL 3 (168 hours) 3 (168 hours)
Reflow Peak Time Max 40 s —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: rohs status] Compliant
Lead-Free [DATA_NEEDED: lead-free] —
Package Code BGA —
Terminal Form Ball —
Number of Terminals 780 —
Process Node 40 nm 40 nm TSMC
Family — Stratix III E
Embedded Memory — 16,672,768 bits (16.67 Mbit)
Logic Array Blocks (LABs) — 10,200
Embedded Multipliers (18x18) — 384
درجة حرارة التشغيل — 0C to +85C (commercial)
Core Voltage (VCC) — 1.0 V
I/O Voltage (VCCIO) — 1.2 V / 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V (bank-dependent)
Auxiliary Voltage (VCCPD/VCCPT) — 2.5 V / 3.0 V
PLLs — 8
Global Clock Networks — 16
Configuration Modes — FPP, AS, PS, JTAG

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر