EP3SE260H780C2N vs EP3SE260H780C4LN तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP3SE260H780C2N द्वारा Intel और EP3SE260H780C4LN द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP3SE260H780C2N | EP3SE260H780C4LN |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | अंतिम बार खरीदें | अंतिम बार खरीदें |
| Series | Stratix III E | — |
| Logic Elements | 255,000 | 255,000 |
| LABs / CLBs | 10,200 | — |
| Total RAM Bits | 16,672,768 | — |
| User I/O Count | 488 | 488 |
| Number of Transceivers | [DATA_NEEDED: transceiver count] | — |
| Core Voltage | 0.9 V | — |
| पैकेज | 780-BGA FCBGA | 780-ball FCBGA (FineLine BGA) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | Commercial (0C to +85C) | — |
| Speed Grade | C2 | C4 (commercial, moderate speed) |
| MSL स्तर | 3 (168 hours) | 3 (168 hours) |
| Reflow Peak Time Max | 40 s | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: rohs status] | Compliant |
| Lead-Free | [DATA_NEEDED: lead-free] | — |
| Package Code | BGA | — |
| Terminal Form | Ball | — |
| Number of Terminals | 780 | — |
| Process Node | 40 nm | 40 nm TSMC |
| Family | — | Stratix III E |
| Embedded Memory | — | 16,672,768 bits (16.67 Mbit) |
| Logic Array Blocks (LABs) | — | 10,200 |
| Embedded Multipliers (18x18) | — | 384 |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | 0C to +85C (commercial) |
| Core Voltage (VCC) | — | 1.0 V |
| I/O Voltage (VCCIO) | — | 1.2 V / 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V (bank-dependent) |
| Auxiliary Voltage (VCCPD/VCCPT) | — | 2.5 V / 3.0 V |
| PLLs | — | 8 |
| Global Clock Networks | — | 16 |
| Configuration Modes | — | FPP, AS, PS, JTAG |