EP3SE80F780C4N vs EP3SE50F780C4N مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EP3SE80F780C4N بواسطة Intel و EP3SE50F780C4N بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل EP3SE80F780C4N EP3SE50F780C4N
العلامة التجارية Intel Intel
الفئة FPGA & CPLD FPGA & CPLD
حالة دورة الحياة نشط NRND
Device Family Stratix III E —
Logic Elements 80,000 —
Logic Array Blocks (LABs) 3,200 —
User I/Os 488 —
Embedded Memory (bits) 6,843,392 —
Process Technology 65 nm —
Core Voltage 0.9 V —
I/O Voltage 1.1 V —
العلبة 780-ball FC-FBGA (FineLine BGA) 780-Ball FBGA, 29 mm x 29 mm, 1.0 mm pitch
Pin/Package Code F780 —
Speed Grade C4 (commercial) —
Internal Frequency (max) [DATA_NEEDED: internal max frequency per datasheet] —
درجة حرارة التشغيل 0 C to 85 C (commercial) 0C to +85C (C4 commercial grade)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount (BGA)
Configuration Method Serial/Parallel (Quartus II) —
حالة RoHS Compliant Lead-free / RoHS compliant
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 3 (per JEDEC J-STD-020, FBGA package)
Family — Stratix III E
Logic Elements (LE) — 47,500
Embedded Memory Bits — 5,760,000
Embedded Memory (M9K/M144K blocks) — 488 (per family datasheet)
Number of LABs — 1900
Maximum User I/Os — 488
DSP Blocks (18x18 multipliers) — 432
PLLs — 12 (per family datasheet)
Maximum Operating Frequency — 717 MHz
Transceiver Channels — Up to 12 (per family, model-dependent)
Transceiver Data Rate — Up to 6.375 Gbps (per Stratix III E family)
Process Node — 40 nm
جهد التغذية — Core 0.9 V, I/O 1.2 V-3.3 V (multi-rail)
Configuration Modes — JTAG, Passive Serial, Fast Passive Parallel
Hard Memory Controller — DDR2/DDR3 SDRAM (per Stratix III E family)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر