EP4CE15F1717N vs EP4CE15E22C8N مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EP4CE15F1717N بواسطة Intel و EP4CE15E22C8N بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | EP4CE15F1717N | EP4CE15E22C8N |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Intel | Intel |
| الفئة | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Series | Cyclone IV E | Cyclone IV E |
| Logic Elements (LE) | 15,408 | — |
| Embedded Memory | 516,096 bits (56 M9K blocks) | — |
| Embedded 18x18 Multipliers | 56 | 56 |
| Maximum User I/Os | 165 | — |
| PLLs | 4 | — |
| Global Clock Networks | 20 | — |
| Process Technology | 60 nm low-power | 60 nm low-power CMOS |
| Core Voltage (VCCINT) | 1.0 V / 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VCCIO) | 1.2 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.0 V / 3.3 V | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +85C (commercial "N" suffix) | 0C to +85C (Commercial) |
| العلبة | 256-ball F-BGA (FBGA-256) | 144-pin EQFP (Enhanced QFP) with Exposed Pad |
| Package Pitch | 1.0 mm | — |
| LVDS Performance | Up to 343 Mbps | — |
| Speed Grade | 7 | 8 |
| Configuration Mode | External serial/parallel flash (volatile SRAM) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | 3 (168 hours) | 3 |
| Logic Elements (LEs) | — | 15,408 |
| Embedded Memory (Bits) | — | 516,096 |
| Embedded Memory (Kbits) | — | 504 |
| General Purpose PLLs | — | 4 |
| User I/O Pins | — | 81 |
| Core Voltage | — | 1.2 V |
| نوع التركيب | — | Surface Mount |
| Configuration Method | — | SRAM-based, AS / PS / JTAG |