EP4CE15F1717N vs EP4CE15E22C8N तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP4CE15F1717N द्वारा Intel और EP4CE15E22C8N द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP4CE15F1717N | EP4CE15E22C8N |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Series | Cyclone IV E | Cyclone IV E |
| Logic Elements (LE) | 15,408 | — |
| Embedded Memory | 516,096 bits (56 M9K blocks) | — |
| Embedded 18x18 Multipliers | 56 | 56 |
| Maximum User I/Os | 165 | — |
| PLLs | 4 | — |
| Global Clock Networks | 20 | — |
| Process Technology | 60 nm low-power | 60 nm low-power CMOS |
| Core Voltage (VCCINT) | 1.0 V / 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VCCIO) | 1.2 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.0 V / 3.3 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +85C (commercial "N" suffix) | 0C to +85C (Commercial) |
| पैकेज | 256-ball F-BGA (FBGA-256) | 144-pin EQFP (Enhanced QFP) with Exposed Pad |
| Package Pitch | 1.0 mm | — |
| LVDS Performance | Up to 343 Mbps | — |
| Speed Grade | 7 | 8 |
| Configuration Mode | External serial/parallel flash (volatile SRAM) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | 3 (168 hours) | 3 |
| Logic Elements (LEs) | — | 15,408 |
| Embedded Memory (Bits) | — | 516,096 |
| Embedded Memory (Kbits) | — | 504 |
| General Purpose PLLs | — | 4 |
| User I/O Pins | — | 81 |
| Core Voltage | — | 1.2 V |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount |
| Configuration Method | — | SRAM-based, AS / PS / JTAG |